[发明专利]固态摄像装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310349327.5 申请日: 2010-03-03
公开(公告)号: CN103456755A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 君塚直彦;松本拓治 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张荣海
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种固态摄像装置的制造方法,能够防止在形成偏移间隔层时对硅基板的蚀刻损伤,抑制像素晶体管的噪声的产生和光电转换部的白点的产生。在半导体基板(11)上形成覆盖经由逻辑电路部(14)的晶体管的第1栅绝缘膜(31N、31P)形成的第1栅电极(32N、32P)、经由像素晶体管部(12)的第2栅绝缘膜(51)形成的第2栅电极(52)、浮动扩散部的形成区域(AFD)和光电转换部(21)的第1绝缘膜(71)后,在用掩模(83)覆盖光电转换部(21)、像素晶体管部(12)和浮动扩散部的形成区域(AFD)的状态下,对第1绝缘膜(71)进行回蚀,从而在第1栅电极(32N、32P)的侧壁上形成偏移间隔层(33)。
搜索关键词: 固态 摄像 装置 制造 方法
【主权项】:
一种固态摄像装置,包括:半导体基板;逻辑电路部,具有第1栅电极;像素部,具有多个像素单元,每个像素单元包含至少一个第2栅电极;第1栅绝缘膜,形成在所述逻辑电路部中的第1栅电极与所述半导体基板之间;第2栅绝缘膜,形成在所述像素部中的第2栅电极与所述半导体基板之间;第1绝缘膜,覆盖第1栅电极和第2栅电极;以及偏移间隔层,位于第1栅电极的侧壁上,所述偏移间隔层是通过对第1栅电极上的第1绝缘膜进行回蚀而形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310349327.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top