[发明专利]固态摄像装置的制造方法有效
申请号: | 201310349327.5 | 申请日: | 2010-03-03 |
公开(公告)号: | CN103456755A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 君塚直彦;松本拓治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张荣海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种固态摄像装置的制造方法,能够防止在形成偏移间隔层时对硅基板的蚀刻损伤,抑制像素晶体管的噪声的产生和光电转换部的白点的产生。在半导体基板(11)上形成覆盖经由逻辑电路部(14)的晶体管的第1栅绝缘膜(31N、31P)形成的第1栅电极(32N、32P)、经由像素晶体管部(12)的第2栅绝缘膜(51)形成的第2栅电极(52)、浮动扩散部的形成区域(AFD)和光电转换部(21)的第1绝缘膜(71)后,在用掩模(83)覆盖光电转换部(21)、像素晶体管部(12)和浮动扩散部的形成区域(AFD)的状态下,对第1绝缘膜(71)进行回蚀,从而在第1栅电极(32N、32P)的侧壁上形成偏移间隔层(33)。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固态摄像装置,包括:半导体基板;逻辑电路部,具有第1栅电极;像素部,具有多个像素单元,每个像素单元包含至少一个第2栅电极;第1栅绝缘膜,形成在所述逻辑电路部中的第1栅电极与所述半导体基板之间;第2栅绝缘膜,形成在所述像素部中的第2栅电极与所述半导体基板之间;第1绝缘膜,覆盖第1栅电极和第2栅电极;以及偏移间隔层,位于第1栅电极的侧壁上,所述偏移间隔层是通过对第1栅电极上的第1绝缘膜进行回蚀而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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