[发明专利]半导体衬底中包含沟槽的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310349620.1 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103579325B | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 安东·毛德;赖因哈德·普洛斯;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体衬底中包含沟槽的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底。第一沟槽从第一侧延伸入或穿过该半导体衬底。半导体层在该第一侧邻接该半导体衬底。该半导体层在该第一侧覆盖该第一沟槽。该半导体器件进一步包括在该半导体衬底的与该第一侧相反的第二侧处的接触体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 包含 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一沟槽，从第一侧延伸至所述半导体衬底中或穿过所述半导体衬底；半导体层，在所述第一侧邻接所述半导体衬底，其中，所述半导体层在所述第一侧覆盖所述第一沟槽；以及接触体，位于所述半导体衬底的与所述第一侧相对的第二侧，其中，所述半导体衬底包括p型掺杂剂和n型掺杂剂；且其中，所述p型掺杂剂的浓度低于所述n型掺杂剂的浓度，所述n型掺杂剂的浓度分布沿着与所述第一侧平行的横向方向从所述第一沟槽的侧壁至所述半导体衬底而减小。
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