[发明专利]图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置有效
申请号: | 201310350125.2 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN103730397B | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 陈刚;戴幸志;毛杜立;傅振宏 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请案涉及一种图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置。图像传感器像素包含光敏元件、浮动扩散“FD”区域及传送装置。所述光敏元件安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷。所述FD区域安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷。所述传送装置安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域。所述传送装置包含栅极、埋入式沟道掺杂剂区域及表面沟道区域。所述栅极安置于所述光敏元件与所述FD区域之间。所述埋入式沟道掺杂剂区域经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方。所述表面沟道区域安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 中的 部分 埋入 沟道 传送 装置 | ||
【主权项】:
一种图像传感器像素,其包括:光敏元件,其安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷;浮动扩散“FD”区域,其安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷;及传送装置,其安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域,所述传送装置包含:栅极,其安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区域之间;埋入式沟道掺杂剂区域,其经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方;及表面沟道区域,其安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方,其中所述埋入式沟道掺杂剂区域的长度与所述表面沟道区域的长度的比率经调谐以在所述光敏元件接近全容量且所述传送装置关断时允许电子从所述光敏元件穿通到所述埋入式沟道掺杂剂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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