[发明专利]半导体器件以及制作该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310350697.0 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594516B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | A.比尔纳;H.布雷希 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/24;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及制作该半导体器件的方法。一种半导体器件包括在半导体本体的第一区域中的漂移区。所述漂移区包括第一导电类型的掺杂剂。至少邻近所述漂移区的边缘形成掺杂剂阻滞区。第二导电类型的掺杂剂被注入到所述半导体本体中。所述半导体本体被退火以形成体区，使得第二导电类型的掺杂剂以第一扩散速率被驱进所述半导体本体中。所述掺杂剂阻滞区阻止掺杂剂以第一扩散速率扩散到漂移区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管器件，包括：半导体本体；第一导电类型的源区，其被设置在半导体本体中；第一导电类型的漏区，其被设置在半导体本体中并且与所述源区隔开；第一导电类型的漂移区，其被设置在所述源区和漏区之间邻近漏区的半导体本体中；第二导电类型的沟道区，其被设置在所述漂移区和源区之间邻近漂移区的半导体本体中，所述沟道区是体区的部分，其中所述源区被设置在所述体区内；栅极，其至少部分地覆在所述沟道区上并且与其绝缘；以及掺杂剂阻滞区，其被设置为沿着所述体区和所述半导体本体之间的界面并且被设置在所述漂移区和所述沟道区之间的而不是所述半导体本体和所述漂移区之间的延伸远离所述栅极的界面处，所述体区和所述半导体本体之间的界面延伸远离所述栅极，其中所述掺杂剂阻滞区被掺杂有包括从由碳、氮和氟构成的组中选择的材料的掺杂剂阻滞材料。
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