[发明专利]红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201310351168.2 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103401144A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。本发明采用InxGa1-xAs1-yBiy材料作为半导体激光器有源区的材料，基于晶格匹配生长，能够兼容DBR、DFB及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构，且激光器采用无Al结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 半导体激光器 有源 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种红外半导体激光器的有源区，其特征在于，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1‑mAs1‑nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1‑xAs1‑yBiy，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。
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