[发明专利]金属氧化物薄膜基板、其制造方法、光伏电池和OLED有效
| 申请号： | 201310351331.5 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594528A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 刘泳祚;金序炫;朴峻亨;白逸姬;尹根尚;李贤姬;崔殷豪 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/18;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;邱玲 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了可以提高陷光效率和光提取效率的金属氧化物薄膜基板、制造金属氧化物薄膜基板的方法和光伏电池以及包括光伏电池的有机发光装置（OLED）。金属氧化物薄膜基板包括基体基板和形成在基体基板上的金属氧化物薄膜。金属氧化物薄膜具有形成在金属氧化物薄膜的内部的用于散射光的空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 制造 方法 电池 oled | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜基板，包括：基体基板；以及金属氧化物薄膜，形成在基体基板上，金属氧化物薄膜具有形成在金属氧化物薄膜的内部的空隙，以散射光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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