[发明专利]用于等离子体处理装置的等离子体挡环及其使用的方法无效

专利信息
申请号: 201310351440.7 申请日: 2013-08-13
公开(公告)号: CN103594316A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 乔迪普·古哈 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于等离子体处理装置的等离子体挡环及其使用的方法。该等离子体处理装置包括挡环,所述挡环将真空室的内部空间分成等离子体空间和排气空间。等离子体通过利用能量源激发工艺气体而被生成在等离子体空间中。然后,所述工艺气体通过围绕衬底支撑件的外周的所述等离子体挡环被排出等离子体空间。所述等离子体挡环包括内支撑环、外支撑环、以及在内支撑环和外支撑环之间延伸的竖直间隔周向地重叠的矩形叶片。每一个叶片具有主表面,用于阻挡从所述等离子体空间到所述排气空间的视线,其中所述叶片的所述主表面被构造来在诸如等离子体蚀刻副产品之类的不挥发的副产品撤离所述等离子体空间之前捕获该副产品。
搜索关键词: 用于 等离子体 处理 装置 及其 使用 方法
【主权项】:
一种用于在半导体衬底上执行等离子体工艺的等离子体处理装置,其包括:真空室,单个半导体衬底能够在其中被加载和卸载;衬底支撑件,其被提供在所述真空室中使得所述半导体衬底能够被置于所述衬底支撑件的顶表面上;注气构件,其将工艺气体供应到所述真空室中;能量源,其被用来激发所述真空室中的所述工艺气体以生成等离子体;至少一个排气口,所述工艺气体通过其排出所述真空室;以及围绕所述衬底支撑件的外周的等离子体挡环,所述等离子体挡环被设置在所述半导体衬底的顶表面或者被设置在所述半导体衬底的顶表面下面且将所述真空室的内部空间分割成在所述等离子体挡环上面的等离子体空间和在所述等离子体挡环下面的排气空间,所述等离子体挡环包括内支撑环和外支撑环以及在所述内环和所述外环之间延伸的竖直间隔周向地重叠的矩形叶片,每一个叶片具有主表面且所述间隔重叠的叶片阻挡从所述等离子体空间到所述排气空间的视线,所述叶片的所述主表面被构造来在不挥发的副产品撤离所述等离子体空间而进入所述排气空间之前捕获所述副产品。
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