[发明专利]使用石墨烯作为电荷捕获层的存储器件以及其操作方法有效
| 申请号： | 201310351533.X | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103996681B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李载昊;郑现钟;朴晟准;卞卿溵;D.赛欧;宋俔在;许镇盛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/792;H01L29/47;H01L29/788;H01L29/16;H01L21/28;H01L51/05;G11C11/40;G11C16/04;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 石墨 作为 电荷 捕获 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯存储器，包括：导电的半导体基板；在所述基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触所述基板并且在所述源极和所述漏极之间且与所述源极和所述漏极间隔开；形成在所述石墨烯层上的导电层，该导电层接触所述石墨烯层并且相对于所述石墨烯层面对所述基板；以及在所述石墨烯层上的栅电极，其中肖特基势垒形成在所述基板和所述石墨烯层之间使得所述石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310351533.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
