[发明专利]制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺

摘要

一种制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，通过在前一次刻蚀操作中形成的过刻蚀区，来为后续的层间氮化硅层提供空间；本发明的有益技术效果是：在不改变多晶硅淀积工艺的前提下，可有效降低各次多晶硅层之间的层间介质厚度，保证不同位置处的层间介质厚度的均一性，提高器件品质。

主权项

一种制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，其特征在于：制作第一次多晶硅时，按如下步骤进行：1）在衬底层（1）表面淀积二氧化硅层（2）；2）在二氧化硅层（2）表面淀积氮化硅层（3）；3）在氮化硅层（3）表面淀积第一次多晶硅层（4），并对第一次多晶硅层（4）进行掺杂处理；4）对第一次多晶硅层（4）进行刻蚀，第一次多晶硅层（4）被刻蚀后形成多个第一次多晶硅条（4‑1）；刻蚀操作采用过刻蚀方式进行，过刻蚀量小于氮化硅层（3）厚度，从而在氮化硅层（3）表面形成过刻蚀区（5）；5）淀积层间氮化硅层（7）；层间氮化硅层（7）将第一次多晶硅条（4‑1）和过刻蚀区（5）全部覆盖；层间氮化硅层（7）的淀积厚度与步骤4）中的过刻蚀量相同；6）对层间氮化硅层（7）进行热氧化处理，以修复层间氮化硅层（7）上的针孔缺陷；7）在层间氮化硅层（7）表面淀积第二次多晶硅层，并对第二次多晶硅层进行掺杂处理；8）对第二次多晶硅层进行刻蚀，第二次多晶硅层被刻蚀后形成多个第二次多晶硅条（8）；刻蚀操作采用过刻蚀方式进行，过刻蚀量与步骤4）中的过刻蚀量相同；二次多晶硅制作完成；若无制作三次多晶硅的需求，则继续后续的CCD制作工艺；若需要制作三次多晶硅时，在步骤8）的处理完成后，继续如下步骤：9）采用与步骤5）、6）、7）、8）相同的操作，在器件上制作出三次多晶硅；若无制作四次多晶硅的需求，则继续后续的CCD制作工艺；若需要制作四次多晶硅时，在步骤9）的处理完成后，继续如下步骤：10）采用与步骤5）、6）、7）、8）相同的操作，在器件上制作出四次多晶硅，然后继续后续的CCD制作工艺。