[发明专利]基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法有效
| 申请号： | 201310352264.9 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103400859A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王浩敏;谢红;吴天如;孙秋娟;王慧山;宋阳曦;刘晓宇;唐述杰;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯或石墨烯纳米带；所述带状石墨烯的宽度大于100nm；所述石墨烯纳米带的宽度范围为1~100nm。本发明通过在底层石墨烯及顶层石墨烯之间引入绝缘阻挡层，这样底层石墨烯及顶层石墨烯中载流子浓度可以分别通过加在底栅电极和顶栅电极上的电压进行调节，从而实现器件的较高的开关比。同时顶栅电极和底栅电极可以进行精确的单元选址，实现大规模器件集成运用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 场效应 单元 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元，其特征在于，所述基于石墨烯的隧穿场效应管单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯或石墨烯纳米带；所述带状石墨烯的宽度大于100nm；所述石墨烯纳米带的宽度范围为1～100nm。
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