[发明专利]一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201310354011.5 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103413840A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 魏文文;勾宪芳;王鹏;姜利凯 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 缪友菊 |
| 地址： | 212132 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池，包括硅片衬底和设置在硅片衬底上的钝化膜，所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底正表面的致密层SiO2、疏松层SiO2、致密层Si3N4及疏松层Si3N4。另涉及该晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒-扩散-刻蚀-氧化-PECVD-丝网印刷-烧结测试步骤。采用低温生长SiO2钝化膜和经过PECVD沉积的具有氢钝化作用和很好减反射效果的Si3N4膜构成的SiO2/Si3N4双层膜能明显改善太阳电池的性能，增强太阳能电池表面的钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pid 效应 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池，包括硅片衬底（3）和设置在硅片衬底（3）上的钝化膜，其特征在于：所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底（3）正表面的致密层SiO2（4）、疏松层SiO2（5）、致密层Si3N4（1）及疏松层Si3N4（2）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中节能太阳能科技（镇江）有限公司，未经中节能太阳能科技（镇江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310354011.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：清除接线盒盒体上残余硅胶的方法
- 下一篇：一种晶体硅太阳电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
