[发明专利]半导体制作工艺无效
| 申请号： | 201310355946.5 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104377135A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 童宇诚;廖晋毅 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体制作工艺，其包含下述步骤：形成一第一栅极以及一第二栅极于一基底上。形成一第一应力层，覆盖第一栅极以及第二栅极。蚀刻覆盖第一栅极的第一应力层以形成一第一间隙壁于第一栅极侧边的基底上，但保留覆盖第二栅极的第一应力层。形成一第一外延层于第一间隙壁侧边。完全移除第一应力层以及第一间隙壁。形成一第二应力层，覆盖第一栅极以及第二栅极。蚀刻覆盖第二栅极的第二应力层，以形成一第二间隙壁于第二栅极侧边的基底上，但保留覆盖第一栅极的第二应力层。形成一第二外延层于第二间隙壁侧边。完全移除第二应力层以及第二间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体制作工艺，包含有：形成一第一栅极以及一第二栅极于一基底上；形成一第一应力层，覆盖该第一栅极以及该第二栅极；蚀刻覆盖该第一栅极的该第一应力层以形成一第一间隙壁于该第一栅极侧边的该基底上，但保留覆盖该第二栅极的该第一应力层；形成一第一外延层于该第一间隙壁侧边的该基底中；完全移除该第一应力层以及该第一间隙壁；形成一第二应力层，覆盖该第一栅极以及该第二栅极；蚀刻覆盖该第二栅极的该第二应力层，以形成一第二间隙壁于该第二栅极侧边的该基底上，但保留覆盖该第一栅极的该第二应力层；形成一第二外延层于该第二间隙壁侧边的该基底中；以及完全移除该第二应力层以及该第二间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
