[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201310356402.0 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104124269A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 川口雄介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 庞乃媛;黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备：第3电极，一端位于源极电极（19）侧，另一端位于N型漂移层（10）；以及浮动电极（17），一端位于源极电极（19）侧，另一端位于N型漂移层（10）；其特征在于，设浮动电极（17）与漏极电极（18）间的电容为Cfd、浮动电极（17）与源极电极（19）间的电容为Cfs、漏极电极（18）与源极电极（19）间的电压为Vds、浮动电极（17）的阈值电压为Vth时，漏极电极（18）与源极电极（19）间的电压BV0＝（（Cfs+Cfd）/Cfd）×Vth小于没有浮动电极（17）而全是栅极电极（16）的情况下发生雪崩击穿的耐压BV1，在截止状态时，若向浮动电极（17）施加超过Vth的电压，则在包围浮动电极（17）的第1绝缘膜（14）的侧部形成反转层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层；第1电极，与所述第1半导体层电连接；第2导电型的第2半导体层，设置在与所述第1电极相反的一侧；第2导电型的第3半导体层，与所述第2半导体层相接，选择性地设置在与所述第1半导体层相反的一侧；第1导电型的第4半导体层，与所述第2半导体层相接，选择性地设置在与所述第1半导体层相反的一侧；第2电极，与所述第3及第4半导体层电连接；第3电极，一端位于所述第2电极侧，另一端位于所述第1半导体层；浮动电极，一端位于所述第2电极侧，另一端位于所述第1半导体层；第1绝缘膜，设置在所述第3电极及所述浮动电极的周围；以及第2绝缘膜，与所述第3电极及所述浮动电极相接，设置在与所述第1电极相反的一侧；该半导体装置，在截止状态下向所述第1电极与所述第2电极之间施加了电压时，在包围浮动电极的第1绝缘膜的侧部流动电子电流。
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