[发明专利]氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310356630.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103397382A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 武卫兵;刘宽菲;张楠楠;陈晓东;陈宝龙 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B19/00;C30B29/62;C30B33/02 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 谢省法 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本发明的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn(NO3)2）、聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMT）水溶液中外延生长得到（001）择优取向的超长ZnO纳米棒阵列薄膜；2）对薄膜进行快速退火处理，提高ZnO阵列薄膜光致发光性能。该技术能够实现ZnO纳米棒在高于100℃下的连续生长，高温生长条件改善了纳米棒的结晶质量，内部缺陷明显减少，具有优良的光电性能，更有利于在染料敏化太阳能电池、紫外探测器、场效应晶体管、发光二级管、纳米发电机等光电器件中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）采用（001）择优取向ZnO种子层作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn(NO3)2）、聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMT）水溶液中外延生长得到（001）择优取向的超长ZnO纳米棒阵列薄膜；2）对薄膜进行快速退火处理，提高ZnO阵列薄膜光致发光性能。
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