[发明专利]快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法有效
| 申请号： | 201310357955.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103435099A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;张强 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00;H01L35/18 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法，它包括以下步骤：1)按化学计量比Bi：S=2：3.06准备Bi粉和S粉作为原料，相对于化合物Bi2S3的化学计量比来说，原料硫粉过量2%，然后将它们研磨混合均匀得到反应物；2）将步骤1）所述反应物引发自蔓延反应或热爆反应，反应完成后自然冷却，即可得到单相Bi2S3热电化合物。本发明具有反应速度快、设备简单、重复性好和高效节能等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 制备 单相 bi sub 热电 化合物 方法 | ||
【主权项】：
快速制备单相Bi2S3热电化合物的方法，其特征在于它包括以下步骤：1) 按化学计量比Bi：S=2：3.06准备Bi粉和S粉作为原料，然后将它们研磨混合均匀得到反应物； 2）将步骤1）所述反应物引发自蔓延反应或热爆反应，反应完成后自然冷却，即可得到单相 Bi2S3热电化合物。
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