[发明专利]外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构有效
| 申请号： | 201310358645.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103413877A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 农明涛 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;郑隽 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构，包括总厚度为160nm的量子阱应力释放层，所述量子阱应力释放层为掺In和Al的HT MQW层，包括40nm厚度的GaN层和2nm厚度的AlyInxGa（1-x-y）N层，其中x=0.05-0.08，y=0.02-0.05。本发明生长方法通过修改HT MQW的能带图，实现对进入发光区电子的阻挡作用，减少电子进入p层与空穴发生非辐射复合的几率；并且，在HT MQW被阻挡的电子经过二维扩散，更均匀的注入发光区，提高电子与空穴的复合效率，提升亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 量子 应力 释放 生长 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种外延结构量子阱应力释放层的生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有缘层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长InGaN层步骤，其特征在于，在生长掺Si的GaN层步骤与生长有缘层MQW步骤之间，包括生长量子阱应力释放层步骤A：在蓝宝石衬底上生长的n层GaN与发光层MQW之间插入高温量子阱层（HTMQW）作为应力释放层，高温量子阱为2～5个周期的GaN和AlyInxGa（1‑x‑y）N异质结构层，其中GaN的厚度在20～60nm，AlyInxGa（1‑x‑y）N的厚度在1～5nm，x=0.05‑0.08，y=0.02‑0.05。
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