[发明专利]一种栅堆叠及其制造方法有效
| 申请号： | 201310358978.0 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104377236B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 许高博;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 王立民 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅堆叠，包括衬底；衬底上的栅介质层以及栅介质层上的栅电极，在栅介质层与栅电极的第一界面处和/或栅介质层与衬底的第二界面处形成有电偶极子，其中，n型器件的电偶极子为La‑O或Ta‑O，p型器件的电偶极子为Ti‑O或Al‑O，所述栅电极为金属栅。在栅介质层与栅电极和/或栅介质层与衬底的界面处形成了电偶极子，电偶极子会使界面处的能级发生变化，使得金属栅的平带电压移动，有利于器件功函数的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅堆叠，包括：衬底；衬底上的栅介质层以及栅介质层上的栅电极，在栅介质层与栅电极的第一界面处和/或栅介质层与衬底的第二界面处形成有电偶极子，其中，n型器件的电偶极子为La‑O或Ta‑O，p型器件的电偶极子为Ti‑O或Al‑O，所述栅电极为金属栅；其中，与形成有电偶极子的栅介质层相邻接的栅介质材料为含硅的介质材料；由衬底至栅电极，所述栅介质层包括依次形成的第一栅介质层、第二栅介质层、第三栅介质层、第四栅介质层和第五栅介质层，第一栅介质层与栅电极的第一界面处以及第五栅介质层与衬底的第二界面处形成有电偶极子，所述第二栅介质层和第四栅介质层为包含有Si元素的介质材料，所述第三栅介质层为高k介质材料。
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