[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310359820.5 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104051530A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明的方法包括将第一金属层沉积在设置在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的源极和漏极中至少一个上的本征SiO2层上。由本征SiO2层和第一金属层形成金属氧化物层，其中，剩余的第一金属层、金属氧化物层、及源极与漏极中的至少一个形成金属绝缘体半导体（MIS）接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将第一金属层沉积在本征SiO2层上，所述本征SiO2层设置在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的源极和漏极中的至少一个上；以及由所述本征SiO2层和部分所述第一金属层形成金属氧化物层，所述第一金属层的剩余部分、所述金属氧化物层以及所述源极和所述漏极中的至少一个形成金属绝缘体半导体（MIS）接触件。
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