[发明专利]一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的应用及其制备方法有效
| 申请号： | 201310360119.5 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103435340A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 庞利霞;刘卫国;周迪;折文汇;徐萍 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的应用及其制备方法，属于电子陶瓷及其制造技术领域。该陶瓷材料的组成表达式为：(1-x)Bi2O3-(x)Ln2O3-MoO3，其中，Ln=La或Nd，0.001≤x≤0.3。本发明的钼基低温烧结微波介质陶瓷材料可以在800～1000℃温度范围内烧结制备成陶瓷，且具有优异的微波介电性能，可作为微波介质材料使用。该钼基微波介质陶瓷材料具有以下优点：1、介电常数可调（21≤εr≤31）；2、品质因数高（Qf=20,300～32,300GHz）；3、烧结温度低（800～1000℃）；4、制备工艺简单；5、应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 应用 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钼基低温烧结陶瓷材料在制备微波介质器件中的应用，其中，所述的钼基低温烧结陶瓷材料的组成表达式为：(1‑x)Bi2O3‑(x)Ln2O3‑MoO3，Ln=La或Nd，0.001≤x≤0.3。
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