[发明专利]一种MEMS麦克风结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310360141.X 申请日: 2013-08-16
公开(公告)号: CN103491490B 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 叶红波;王勇 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种MEMS麦克风芯片,其与集成电路集成于PCB基板上以形成MEMS麦克风结构,所述麦克风芯片包括:半导体衬底;第一介质层;第一器件层,其包括相互分隔的麦克风下电极及电容下极板;第二介质层;第二器件层,其包括相互分隔的麦克风上电极及电容上极板;麦克风上电极位于麦克风下电极的上方并与所述麦克风下电极之间形成空气隙;电容上极板通过第二介质层支撑于电容下极板的正上方;电容上极板、电容下极板及两者间的第二介质层形成去耦电容。本发明还提供了一种具有上述麦克风芯片的麦克风结构及制造方法,能够实现MEMS麦克风结构的轻薄化及制造工艺的简单化。
搜索关键词: 一种 mems 麦克风 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种MEMS麦克风芯片,其与集成电路芯片集成于PCB基板上以形成MEMS麦克风结构,其特征在于,所述麦克风芯片包括:半导体衬底,其具有腔体;第一介质层,形成于所述衬底上方,具有与所述腔体相通的通孔;第一器件层,形成于所述第一介质层上方,其包括相互分隔的麦克风下电极及电容下极板,所述麦克风下电极位于所述通孔的上方且至少部分与所述第一介质层接触;第二介质层,形成于所述第一器件层上方;第二器件层,形成于所述第二介质层上方,其包括相互分隔的麦克风上电极及电容上极板,所述麦克风上电极位于所述麦克风下电极的上方并与所述麦克风下电极之间形成空气隙;所述电容上极板通过所述第二介质层支撑于所述电容下极板的正上方;所述电容上极板、电容下极板及两者间的所述第二介质层形成去耦电容;其中所述去耦电容的数量为2个,所述电容上极板包括分开的第一上极板和第二上极板,所述电容下极板包括分开的第一下极板和第二下极板;所述第一上极板连接至所述PCB基板的地端或电源端,所述第一下极板连接至所述PCB基板的电源端或地端;所述第二上极板连接至所述PCB基板的地端或信号源端,所述第二下极板连接至所述PCB基板的信号源端或地端。
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