[发明专利]MOCVD设备的喷淋头及MOCVD设备无效
申请号: | 201310360260.5 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN103409730A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 谭华强;黄允文;乔徽;林翔;苏育家 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种MOCVD设备的喷淋头,包括:III族源气体腔、多个III族源气体管道、冷却腔和热壁板;所述冷却腔位于所述III族源气体腔和所述热壁板之间;所述热壁板上设有多个通孔,所述III族源气体管道的一端设置于所述通孔的内部,所述III族源气体管道的另一端与所述III族源气体腔连接;其中,III族源气体管道穿过的通孔为第一通孔,所述第一通孔的孔径沿所述III族源气体管道延伸方向不唯一。在本发明提供的MOCVD设备的喷淋头中,通过调整热壁板中第一通孔的形状,使得热壁板的孔壁至少有一部分远离III族源气体管道,减少热壁板向III族源气体管道辐射的热量,由此降低III族源气体管道中的III族源气体的温度,减少III族源气体的预分解,从而提高设备的沉积效率。 | ||
搜索关键词: | mocvd 设备 喷淋 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备的喷淋头,其特征在于,包括:III族源气体腔、多个III族源气体管道、冷却腔和热壁板;所述冷却腔位于所述III族源气体腔和所述热壁板之间;所述热壁板上设有多个通孔,所述III族源气体管道的一端与所述III族源气体腔连接,所述III族源气体管道的另一端穿过所述冷却腔和所述热壁板的通孔;其中,III族源气体管道穿过的通孔为第一通孔,所述第一通孔的孔径沿所述III族源气体管道延伸方向不唯一。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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