[发明专利]一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法有效
| 申请号： | 201310360697.9 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103469164A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 彭徽;周大朋;郭洪波;宫声凯 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法。所述方法在真空腔体中设置至少两个坩埚，其中至少一个坩埚放置待蒸发物，至少一个坩埚放置金属铌，电子枪轰击所述至少两个坩埚，实现蒸发物和金属铌的熔化，金属铌熔化后发射大量热电子并在阳极吸引下加速运动与蒸发物的蒸气碰撞实现离化，形成高密度的等离子体并沉积在基板上形成涂层。本发明中蒸发过程与离化过程相互独立。通过控制电子束的蒸发功率可实现涂层的高速沉积。对于多元蒸发材料，可以通过控制蒸发功率实现涂层的成分变化。在基板上施加负偏压后可增加沉积粒子的能量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 等离子体 激活 电子束 物理 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积的方法，其特征在于：在真空腔体中设置至少两个坩埚，其中至少一个坩埚放置待蒸发物，至少一个坩埚放置金属铌，电子枪轰击所述至少两个坩埚，实现蒸发物和金属铌的熔化，金属铌熔化后发射大量热电子并在阳极吸引下加速运动与蒸发物的蒸气碰撞实现离化，形成高密度的等离子体并沉积在基板上形成涂层。
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