[发明专利]一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法无效
| 申请号： | 201310360815.6 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103400750A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，包括：采用光刻技术在硅衬底表面获得具有特定图样的掩模；利用该掩模，采用硅刻蚀技术在硅衬底表面刻蚀出具有特定形貌的表面，并去除掩模；采用光刻胶涂覆工艺在硅衬底表面涂覆一层光刻胶。利用本发明，通过对硅衬底表面进行刻蚀，获得具有粗糙表面的形貌，尤其是具有大高宽比微结构的表面形貌，使涂覆在硅衬底表面的光刻胶，尤其是经过显影后的具有微结构的光刻胶，与衬底具有更高的附着性能，大大提高了光刻胶与衬底的附着能力，能够有效地防止具有微结构的光刻胶与衬底的分离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 表面 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，包括：步骤10：采用光刻技术在硅衬底表面获得具有特定图样的掩模；步骤20：利用该掩模，采用硅刻蚀技术在硅衬底表面刻蚀出具有特定形貌的表面，并去除掩模；步骤30：采用光刻胶涂覆工艺在硅衬底表面涂覆一层光刻胶。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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