[发明专利]基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器无效
| 申请号： | 201310361602.5 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103399085A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 程宏斌;郑学军;田丰;王现英 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01N29/036 | 分类号： | G01N29/036 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器及制备方法和应用。基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器包括一片厚度方向振动的兰克赛谐振晶体，一层厚度为10nm的半导体薄膜，一个半导体ZnO纳米线阵列和两片100nm厚Au电极；两片100nm厚的Au电极分别制备在兰克赛厚度方向振动的谐振晶体的上、下表面，厚度为10nm的半导体薄膜生长在厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上，半导体ZnO纳米线阵列贯穿厚度为10nm的半导体薄膜并垂直生长在位于厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上。基于半导体纳米线垂直阵列的高温气体传感器用于高温气体含量的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化锌 纳米 阵列 兰克赛体 声波 高温 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于半导体纳米线垂直阵列的高温气体传感器，其特征在于包括：一片厚度方向振动的兰克赛谐振晶体；一层厚度为10nm的半导体薄膜，所述的半导体薄膜为ZnO薄膜；一个半导体ZnO纳米线阵列；以及两片100nm厚Au电极；两片100nm厚的Au电极采用MEMS工艺分别制备在兰克赛厚度方向振动的谐振晶体的上、下表面；厚度为10nm的半导体薄膜生长在厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上，半导体ZnO纳米线阵列贯穿厚度为10nm的半导体薄膜并垂直生长在位于厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上。
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