[发明专利]一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用有效
| 申请号： | 201310361934.3 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103468224A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李领伟;霍德璇;苏伟涛;苏昆朋;钱正洪 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C09K5/14 | 分类号： | C09K5/14 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用。本发明化学式为RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用。该RPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构。本发明磁制冷用稀土RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料不仅具有良好的磁、热可逆性质。在0～7T磁场变化下HoPdIn的等温磁熵变和磁制冷能力分别高达17.7J/kgK和635J/kg。本发明RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、适用于工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 rpdin 材料 低温 制冷 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用，其特征在于化学式为RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）的金属材料在低温区磁制冷方面的应用；该RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料具有ZrNiAl型晶体结构。
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