[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

摘要

提供一种在蚀刻处理中精密地检测处理对象的膜的剩余厚度的等离子处理装置或者方法。检测在处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度，从在上述处理中的任意时刻检测到的上述多个波长的干涉光的强度检测它们的时间微分的时间系列数据，使用与上述多个波长有关的上述时间序列数据检测将波长作为参数的实微分波形图案数据，使用比较了该实微分波形图案数据、和使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成的检测用微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，使用该剩余膜厚度判定达到上述处理的目标。

主权项

一种等离子处理方法，是使用在处理室内形成的等离子来对在载置于真空容器的内部的上述处理室内的晶片上表面预先形成的膜构造所包含的处理对象的膜进行处理的等离子处理方法，该等离子处理方法具备：检测在上述处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度的步骤；从在上述处理中的任意的时刻检测到的上述多个波长的干涉光强度检测它们的时间微分的时间系列数据的步骤；使用与上述多个波长有关的上述时间系列数据来检测将波长作为参数的实微分波形图案数据的步骤；使用比较了检测用微分波形图案数据和上述实微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度的步骤，上述检测用微分波形图案数据使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成；以及使用上述剩余膜厚度来判定达到上述处理的目标的步骤。