[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及集成电路制造领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，包括以下步骤：提供第二半导体类型衬底；在该衬底上生成第一半导体类型外延层；生成位于外延层中的第二半导体类型阱；生成位于阱中的第一半导体类型掺杂区；生成发射极通孔，并采用孔注入的方法通过发射极通孔生成第二半导体类型掺杂区和发射极金属电极。采用孔注入的方法使第二半导体类型掺杂区和发射极金属电极短路在一起，省去了单独生成第二半导体类型掺杂区需要的工艺，比传统工艺少用一块制作第二半导体类型掺杂区的光刻掩膜板，从而缩短工艺开发周期，降低工艺成本。同时，有效地降低寄生晶体管的放大倍数，抑制闩锁现象，进而有效地提高安全工作区。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第二半导体类型衬底；在该衬底上生成第一半导体类型外延层；生成位于所述外延层中的第二半导体类型阱；生成位于所述阱中的第一半导体类型掺杂区；生成发射极通孔，并采用孔注入的方法通过所述发射极通孔生成第二半导体类型掺杂区和发射极金属电极，其中，该第二半导体类型掺杂区位于所述阱中，该第二半导体类型掺杂区和所述第一半导体类型掺杂区连接形成PN结，该第二半导体类型掺杂区的掺杂深度比该第一半导体类型掺杂区的掺杂深度深，且所述发射极金属电极的一端位于该第一半导体类型掺杂区中，所述第二半导体类型掺杂区与该发射极金属电极连接，该第二半导体类型掺杂区位于该发射极金属电极的下方，且所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度比所述阱的掺杂浓度高。