[发明专利]一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法有效
| 申请号： | 201310363809.6 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103394982A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张伟才;陶术鹤;陈建跃;康洪亮;赵权 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B9/16 | 分类号： | B24B9/16 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120～150μm，半角度18～22°，深度1000±100μm，金刚石粒度600～1000#；精倒角槽直径比晶片厚度小160~180μm，半角度11°，深度1500±100μm，金刚石粒度1000~2000#。粗倒角砂轮转速2500～5000rpm；加工1～2圈；晶片转速16～20mm/s；精倒角砂轮转速3000～5000rpm；加工2～4圈；晶片转速10～15mm/s。采用本发明对晶片边缘倒角，边缘轮廓精度高，边缘质量一致性好，有效解决厚层外延生长过程中因硅片边缘缺陷导致的滑移线问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加工 外延 用硅单 晶片 倒角 砂轮 方法 | ||
【主权项】：
一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮，其特征在于，所述倒角砂轮包括数个粗倒角砂轮槽（1）和数个精倒角砂轮槽（2），粗倒角砂轮槽直径φr比待加工硅单晶片厚度T小120～150μm，粗倒角砂轮槽半角度θr为18～22°，粗倒角砂轮槽深度Dr为1000±100μm，粗倒角砂轮槽金刚石粒度为600～1000#；精倒角砂轮槽直径φf比待加工硅单晶片厚度T小160~180μm，精倒角砂轮槽半角度θf为11°，精倒角砂轮槽深度Df为1500±100μm，精倒角砂轮槽金刚石粒度为1000～2000#。
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