[发明专利]一种NVRAM数据恢复方法和装置在审
| 申请号： | 201310364271.0 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104424047A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 郭齐运;王志栋 | 申请（专利权）人： | 研祥智能科技股份有限公司;深圳市研祥通软件有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/14 | 分类号： | G06F11/14 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 高占元 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NVRAM数据恢复方法和装置，装置包括数据获取单元、解锁单元、擦除单元、写入单元和上锁单元，方法包括：S1、若接收到恢复指令，则读取终端出厂时的NVRAM默认值；S2、设置NVRAM的读写属性为可读可写；S3、擦除NVRAM中存储的当前BIOS配置参数；S4、若擦除成功，则将读取的NVRAM默认值写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域；S5、设置NVRAM的读写属性为只读。允许终端用户根据实际需求决定是否清除NVRAM存储的当前BIOS配置参数并加载终端出厂时NVRAM默认值，操作简单，效率高，为终端用户和生产厂家都节省了费用开支和人力成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nvram 数据 恢复 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性随机访问存储器（NVRAM）数据恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、若接收到恢复指令，则读取终端出厂时的NVRAM默认值；S2、设置NVRAM的读写属性为可读可写；S3、擦除NVRAM中存储的当前BIOS配置参数；S4、若擦除成功，则将读取的NVRAM默认值写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域；S5、设置NVRAM的读写属性为只读。
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