[发明专利]MOS芯片γ射线辐射响应的实时在线测试系统在审
| 申请号： | 201310364426.0 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103675646A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 慕轶非;赵策洲 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;夏振 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS芯片γ射线辐射响应的实时在线测试系统，其特征在于所述系统包括辐射响应探针台（1）、脉冲I-V测试系统、脉冲C-V测试系统和On-The-Fly测试系统，所述辐射响应探针台（1）包括内置放射源（10）的铅容器、待测芯片（12）和观测待测芯片变化的显微镜（13），所述铅容器上端开口，待测芯片（12）放置在铅容器开口处，所述待测芯片（12）上端连接探针（14）；所述探针（14）分别与脉冲I-V测试系统、脉冲C-V测试系统和On-The-Fly测试系统连接。该系统填补了MOS芯片γ射线辐射响应的实时在线监控的技术空白，为防辐射集成电路以及高K介质辐射响应发展应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | mos 芯片 射线 辐射 响应 实时 在线 测试 系统 | ||
【主权项】：
一种MOS芯片γ射线辐射响应的实时在线测试系统，其特征在于所述系统包括辐射响应探针台（1）、脉冲I‑V测试系统、脉冲C‑V测试系统和On‑The‑Fly测试系统，所述辐射响应探针台（1）包括内置放射源（10）的铅容器、待测芯片（12）和观测待测芯片变化的显微镜（13），所述铅容器上端开口，待测芯片（12）放置在铅容器开口处，所述待测芯片（12）上端连接探针（14）；所述探针（14）分别与脉冲I‑V测试系统、脉冲C‑V测试系统和On‑The‑Fly测试系统连接。
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