[发明专利]射频LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件的制造方法，在制作法拉第屏蔽层下方的氧化层时，使用热氧代替现有的淀积氧化层来作为法拉第环下面的氧化层，同时采用高掺杂的多晶硅作为漏极，可以增加漏极长度，提高器件的击穿电压和表面特性。

主权项

一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在衬底上生长外延，生长牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱注入；第2步，去除光刻胶，进行N型LDD注入；再去除牺牲氧化层，进行热场氧生长，光刻定义有源区；第3步，热氧生长栅氧，光刻定义打开漏极区；第4步，器件表面淀积多晶硅并离子掺杂注入，快速热退火；再淀积钴，快速热退火形成钴硅化物，去除多余的钴；第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极及漏极，去除光刻胶；第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道，去胶后炉管推进；再用光刻胶定义源极区，进行源极离子注入，去胶后热退火激活；第7步，淀积氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅化物区域，淀积钛，形成源极金属硅化物；第8步，淀积法拉第隔离氧化层，淀积金属钨，光刻及刻蚀制作法拉第环；第9步，淀积氧化层及硼磷硅玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成钨塞；第10步，形成第一金属层，淀积氧化层形成层间介质，再淀积形成第二金属层；淀积氧化层及氮化硅层，形成钝化层。