[发明专利]一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管

摘要

一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管，包括N型衬底，在N型衬底的两端分别设有漏极金属和N型漂移区，在N型漂移区上设有P型基区层，在P型基区层设有按照阵列分布的N型源区和P型体接触区，在相邻N型源区之间设有N型漂移区突起，N型漂移区突起的边界延伸进入相应的击穿电压提高区域，所述击穿电压提高区域是由相邻四个N型源区的内侧边界延长线构成的矩形区域，在N型漂移区突起上设有栅氧化层，并且栅氧化层的边界向外延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区连接有源极金属，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属。

主权项

一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：N型衬底（1），在N型衬底（1）的一面上连接有漏极金属（11），在N型衬底（1）的另一面上设有N型漂移区（2），其特征在于，在N型漂移区（2）上设有P型基区层（3），在P型基区层（3）设有按照阵列分布的N型源区（5）和P型体接触区（4），在每对相邻的N型源区（5）之间设有由N型漂移区（2）形成的N型漂移区突起（12），N型漂移区突起（12）的边界延伸进入相应的击穿电压提高区域（13），所述击穿电压提高区域（13）是由相邻四个N型源区（5）的内侧边界延长线构成的矩形区域，在N型漂移区突起（12）区域上设有栅氧化层（7），且栅氧化层（7）的各个边界分别向外延伸并止于N型源区（5）的边界，在栅氧化层（7）上设有多晶硅栅（8），在多晶硅栅（8）及N型源区（5）上设有场氧化层（6），在N型源区（5）及P型体接触区（4）连接有源极金属（9），在多晶硅栅（8）的表面连接有栅极金属（10）。