[发明专利]相变存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201310365803.2 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425709B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器的形成方法，包括提供基底，在基底上形成具有多个通孔的介质层；在所述通孔中形成垫衬层和电极层，所述垫衬层位于通孔和介质层之间，覆盖通孔底部和侧壁，所述电极层、垫衬层上表面与介质层上表面持平；去除所述电极层表面的垫衬材料，所述垫衬材料是在形成垫衬层时的残留物；去除电极层表面的垫衬材料后，刻蚀部分厚度的电极层和垫衬层，剩余电极层作为底电极。去除残留在电极层表面的垫衬材料，使得各个通孔中的电极层厚度相等。这样，各个底电极的厚度均一，底电极的电阻相等。在同一电流流经底电极时，则底电极的发热量也相等，确保每个相变存储单元均能正常读/写，提升了相变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在基底上形成具有多个通孔的介质层；在所述通孔中形成垫衬层和电极层，所述垫衬层位于通孔和介质层之间，覆盖通孔底部和侧壁，所述电极层、垫衬层上表面与介质层上表面持平；去除所述电极层表面的垫衬材料，所述垫衬材料是在形成垫衬层时的残留物；去除电极层表面的垫衬材料后，刻蚀部分厚度的电极层和垫衬层，剩余电极层作为底电极。
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