[发明专利]半导体图形化方法有效
| 申请号： | 201310365836.7 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425211B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体图形化方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有功能层；在所述功能层上按预设宽度形成多个牺牲图案；获取所述牺牲图案的实际宽度和相邻所述牺牲图案的实际间距的至少其中之一；在所述牺牲图案的侧面形成侧墙，调控所述侧墙的实际宽度或者相邻所述侧墙的实际间距，直至相邻所述侧墙的实际间距相等；去除所述牺牲图案；以所述侧墙为掩模蚀刻所述功能层形成功能图案，调控所述功能层的实际宽度等于所述功能层的预设宽度。本发明所提供的半导体图形化方法形成的功能图案不存在间距奇偶效应，从而保证以后续所形成的半导体器件不出现偏差，进而提高半导体器件的有效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体图形化方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有功能层；在所述功能层上按预设宽度形成多个牺牲图案；获取所述牺牲图案的实际宽度和相邻所述牺牲图案的实际间距的至少其中之一；在所述牺牲图案的侧面形成侧墙，调控所述侧墙的实际宽度或者相邻所述侧墙的实际间距，直至相邻所述侧墙的实际间距相等；去除所述牺牲图案；以所述侧墙为掩模蚀刻所述功能层形成功能图案，调控所述功能层的实际宽度等于所述功能层的预设宽度；所述牺牲图案的实际宽度与预设宽度相差范围在10埃～30埃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310365836.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种方向可调的连接设备
- 下一篇：一种显示屏升降装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
