[发明专利]一种基于熔融玻璃骨架的三维通孔互联结构制作方法有效
申请号: | 201310365926.6 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN103413780A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 孙道恒;占瞻;周如海;李益盼;蔡建发;陈梦月;王凌云 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 刘勇 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种基于熔融玻璃骨架的三维通孔互联结构制作方法,涉及硅通孔互联技术。在硅层上刻蚀出沟槽,形成硅柱;将带有图案的丝网版与硅层刻蚀后的图案对准;将玻璃粉置于丝网版上,在竖直方向挤压使玻璃粉填充沟槽,移走丝网版;去除硅柱顶部表面玻璃粉;将填充有玻璃粉硅层加热熔融,内部无气泡,冷却后得熔融玻璃结构,将得到熔融玻璃结构的硅层置于腐蚀液中,采用湿法腐蚀工艺去除硅柱顶部表面残留的熔融玻璃结构,得到沟槽内的熔融玻璃骨架;采用机械研磨方式,将硅层下部减薄加工至暴露出硅柱底部,再采用化学机械抛光方式修复研磨损伤,从而获得所述基于熔融玻璃骨架的三维通孔互联结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 熔融 玻璃 骨架 三维 通孔互 联结 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于熔融玻璃骨架的三维通孔互联结构制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅层上,刻蚀出沟槽,同时形成凸起的硅柱;2)将带有图案的丝网版与硅层刻蚀后的图案对准,保证丝网版上镂空图案覆盖于刻蚀出的沟槽上,硅层其余区域部分被丝网版保护;将玻璃粉置于丝网版上,再采用平板在竖直方向反复挤压,使玻璃粉填充沟槽,然后刮去多余玻璃粉,并移走丝网版;3)采用粘性胶纸粘附去除硅柱顶部表面存在的玻璃粉;4)在真空条件下,将填充有玻璃粉硅层进行加热,使玻璃粉完全熔融,并且内部无气泡,再冷却至室温,得到熔融玻璃结构,该熔融玻璃结构包括硅柱顶部表面残留熔融玻璃以及沟槽内的熔融玻璃骨架;5)将得到熔融玻璃结构的硅层置于腐蚀液中,采用湿法腐蚀工艺去除硅柱顶部表面残留的熔融玻璃结构,得到沟槽内的熔融玻璃骨架;6)采用机械研磨方式,将硅层下部减薄加工至暴露出硅柱底部,再采用化学机械抛光方式修复研磨损伤,从而获得本发明所述的基于熔融玻璃骨架的三维通孔互联结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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