[发明专利]具有不同宽度硅柱的高压垂直晶体管有效
| 申请号： | 201310367057.0 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103500759A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 苏吉特·巴纳吉;维杰伊·帕塔萨拉蒂;朱林 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有不同宽度硅柱的高压垂直晶体管。一个实施例中，一种垂直HVFET包括布置在环形图案中的半导体材料柱，该环形图案具有至少两个基本平行并且基本线性的边带部分、每个边带部分具有第一宽度，以及至少两个圆形部分，该圆形部分具有比第一宽度窄的第二宽度，第一导电类型的源极区域设置在该柱顶表面上或附近，以及第二导电类型的主体区域设置在源极区域之下的该柱中。第一和第二电介质区域分别地设置在该柱的相对侧上，该第一电介质区域侧向地围绕该柱，以及该第二电介质区域侧向地围绕该柱。第一和第二场板分别地设置在该第一和第二电介质区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 宽度 高压 垂直 晶体管 | ||
【主权项】：
一种垂直高压场效应晶体管(HVFET)，包括：布置在闭合环形图案中的半导体材料柱，所述闭合环形图案具有至少两个基本平行并且基本线性的边带部分以及至少两个圆形部分，每个所述边带部分有第一宽度，所述圆形部分具有比所述第一宽度窄的第二宽度，第一导电类型的源极区域设置在所述柱的顶表面上或附近；第一电介质区域和第二电介质区域，分别设置在所述柱的相反侧，所述第一电介质区域横向地被所述柱围绕，所述第二电介质区域横向地围绕所述柱；第一场板和第二场板，分别设置在所述第一电介质区域和所述第二电介质区域中。
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