[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于具有：金属制基板；电气绝缘性的下层树脂，其位于所述金属制基板上，且通过进行热硬化而成；上层树脂，其位于所述下层树脂上，且通过进行热硬化而成；引线框，其位于所述上层树脂上，且具有彼此相邻的岛部；以及半导体元件，其配置于所述岛部上，在完成了所述下层树脂的热硬化反应后，完成了所述上层树脂的热硬化反应，所述岛部的上层树脂侧的部分中彼此面对的相对边部被设为除去了至少一部分的形状，所述上层树脂的一部分进入到通过该除去而形成的除去空间内，彼此相邻的所述岛部之间的距离在所述岛部的厚度的0.6倍～2.0倍的范围内，所述相对边部被设为C面状或R面状，所述被设为C面状或R面状的部分的厚度是所述引线框的厚度的一半以上。