[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310367330.X | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633144A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 申铉光 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 发明提供半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:在其中形成有沟槽的半导体衬底;置于沟槽下侧内部的底电极，底电极具有不平坦的上表面;在底电极上部和沟槽侧壁上形成的绝缘层;和置于沟槽内侧底电极上部的顶电极，所述顶电极是不平坦的顶电极，其中所述顶电极构造为使得顶电极朝中央部倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括:半导体衬底，其包括形成于其中的沟槽;在所述沟槽内侧形成的底电极;在所述沟槽内侧和所述底电极上方形成的顶电极;和使所述顶电极隔离于所述底电极的绝缘层，所述顶电极具有不平坦下表面。
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