[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310367773.9 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103681711A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高地泰三;胁山悟 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。提供了一种半导体器件，包括半导体层；包括透明材料的保护层；以及密封半导体层和保护层之间的间隙的透明树脂层。杨氏模量比透明树脂层高的防碎部件被形成为与分割前的层结构的切割部分中的半导体层，并且在用于分割的所述切割部分中执行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层；保护层，包括透明材料；以及透明树脂层，密封所述半导体层和所述保护层之间的间隙，其中，杨氏模量比所述透明树脂层高的防碎部件被形成为与分割前的层结构的切割部分中的所述半导体层接触，并且在用于所述分割的所述切割部分中执行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
