[发明专利]粗单晶碳化钨的制备方法在审

专利信息
申请号: 201310368098.1 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN104418323A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 李玉玺;颜维;蓝云;卢先华;易长宾;韦志忠 申请(专利权)人: 自贡长城硬面材料有限公司
主分类号: C01B31/34 分类号: C01B31/34
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 彭立琼
地址: 643000 四川省自贡市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种粗单晶碳化钨的制备方法,其原料组份配比为钨粉:50-94份,碳黑:3-10份,铝热反应剂:0-30份,晶粒长大促进剂:0-10份。本发明通过钨粉的精选、以及其他组分的优选和组合。采用高温碳化和铝热反应的瞬间超高温及长时间高温反应和晶粒长大促进剂促进晶粒发育长大,制备的碳化钨晶粒发育完整、粗大,颗粒尺寸可达420-5μm。
搜索关键词: 粗单晶 碳化 制备 方法
【主权项】:
一种粗单晶碳化钨的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、配料将费氏粒度2‑20um的钨粉、含碳量为6.08‑6.18%(重量百分比)的冶金碳墨、铝热反应剂、晶粒长大促进剂按下述组份配比:钨粉:50‑94份,碳黑:3‑10份,铝热反应剂:0‑30份,晶粒长大促进剂:0‑10份;步骤二、混合将上述配比的组分均匀混合;步骤三、碳化将混合好的物料放入碳化炉碳化,冷却出炉;步骤四、破碎分级冷却后的碳化钨块经过破碎,精细分级及气流分级制备成所需颗粒的碳化钨产品。
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