[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310368837.7 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104425661B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管制造方法，包括以下步骤提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，且生长至覆盖凸出部的未掺杂的低温GaN层的顶部；蚀刻凸出部的未掺杂的低温GaN层和高温GaN层形成第一凹洞，蚀刻相邻两凸出部间的未掺杂的高温GaN层的缺陷集中区域形成第二凹洞；在第一、第二凹洞填充二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和第一、第二凹洞附著的二氧化硅纳米球上生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，且生长至覆盖凸出部的未掺杂的低温GaN层的顶部；蚀刻凸出部的未掺杂的低温GaN层和未掺杂的高温GaN层形成第一凹洞，蚀刻相邻两凸出部间的未掺杂的高温GaN层的缺陷集中区域形成第二凹洞；在第一、第二凹洞填充二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和第一、第二凹洞附着的二氧化硅纳米球上继续生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310368837.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
