[发明专利]建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法有效
申请号: | 201310369919.3 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103392608A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 何俊;张雪梅;程治英;李德铢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院昆明植物研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 昆明协立知识产权代理事务所(普通合伙) 53108 | 代理人: | 马晓青 |
地址: | 650201 *** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 提供建立梳唇石斛(Dendrobiumstrongylanthum Rchb.f.)离体持续开花体系的方法,取梳唇石斛外植体,进行离体培养,培养温度为25±2℃,光照强度为20μmol/(m2·s),光照12h/d,基本培养基为1/2MS,诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%,所有培养基PH值为5.8,加5.6g/L琼脂固化。 | ||
搜索关键词: | 建立 石斛 持续 开花 体系 方法 | ||
【主权项】:
建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法,取梳唇石斛外植体,进行离体培养,培养温度为25±2℃,光照强度为20μmol/(m2·s),光照12h/d,基本培养基为1/2MS,诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%,所有培养基PH值为5.8,加5.6g/L琼脂固化。
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