[发明专利]像素单元及其制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310370056.1 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103456740A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 孔祥永;王东方;成军;孙宏达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种像素单元，至少包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管至少包括栅极、源极和漏极，所述像素电极通过过孔与所述漏极电连接，且所述过孔的上端面与所述像素电极相连接，所述过孔的下端面与所述漏极相连接，其中，所述过孔为阶梯孔，且所述过孔的上端面的面积大于所述过孔的下端面的面积。本发明还提供上述像素单元的制造方法、一种包括所述像素单元的阵列基板和一种包括该阵列基板的显示装置。本发明所提供的薄膜晶体管的像素电极不容易断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种像素单元，至少包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管至少包括栅极、源极和漏极，所述像素电极通过过孔与所述漏极电连接，且所述过孔的上端面与所述像素电极相连接，所述过孔的下端面与所述漏极相连接，其特征在于，所述过孔为阶梯孔，且所述过孔的上端面的面积大于所述过孔的下端面的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
