[发明专利]超级结晶体管及其形成方法

摘要

一种超级结晶体管及其形成方法，其中，超级结晶体管包括：半导体衬底内具有第一掺杂离子；位于半导体衬底表面的若干第一半导体层，第一半导体层的侧壁相对于半导体衬底表面倾斜，第一半导体层的顶部尺寸小于底部尺寸，且第一半导体层内具有第一掺杂离子；若干位于相邻第一半导体层之间的半导体衬底表面的沟槽，沟槽的侧壁相对于半导体衬底表面倾斜，且沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸；位于沟槽的侧壁和底部表面的第二半导体层，第二半导体层内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反；位于第二半导体层表面的介质层，介质层填充满沟槽；位于第一半导体层表面的栅极结构。所述超级结晶体管的性能得到改善。

主权项

一种超级结晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一掺杂离子；在所述半导体衬底内形成若干相邻的沟槽，所述沟槽的侧壁相对于半导体衬底表面倾斜，且所述沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸，相邻沟槽之间的半导体衬底形成第一半导体层；在所述沟槽的侧壁和底部表面形成第二半导体层，所述第二半导体层内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反；在所述第二半导体层表面形成填充满沟槽的介质层；在形成介质层之后，在第一半导体层表面形成栅极结构；在相邻栅极结构之间的第二半导体层、以及部分第一半导体层内形成体区，所述体区内具有第二掺杂离子，且部分体区与栅极结构重叠；在所述栅极结构两侧的体区内形成源区，所述源区内具有第一掺杂离子。