[发明专利]一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法有效
申请号: | 201310371397.0 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104423144B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 李晓梅 | 申请(专利权)人: | 上海凸版光掩模有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法,所述监测方法包括步骤:1)提供一包括图形区域及外围区域的光掩模,至少于所述外围区域四个角落的预设中心坐标制作标记图形,其中,所述标记图形由两个垂直相交的横向矩形与纵向矩形组成;2)测量各该标记图形的实际中心坐标,并计算出各该标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量。本发明可以有效提高套刻精度监测的简易度、降低监测的出错概率、缩短工作周期;图形标记放置在光掩模板子的四个角上,远离光刻的主图形,既能很好的监测位置精度,又不会对光刻的主图形有任何影响。本发明步骤简单实用,适用于生产监测。 | ||
搜索关键词: | 一种 光掩模 光掩模套刻 精度 监测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模套刻精度的监测方法,其特征在于,至少包括以下步骤:1)提供一包括图形区域及外围区域的光掩模,至少于所述外围区域四个角落的预设中心坐标制作标记图形,其中,所述标记图形由两个垂直相交的横向矩形与纵向矩形组成;2)测量各该标记图形的实际中心坐标,并计算出各该标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量;步骤2)包括以下步骤:2‑1)设置与所述横向矩形垂直相交的纵向测试框及与所述纵向矩形垂直相交的横向测试框,并设定所述横向测试框的纵向中垂线及所述纵向测试框的横向中垂线的交点坐标为测试中心坐标;2‑2)将所述测试中心坐标移动至任一标记图形的预设中心坐标的位置;2‑3)采用摄像设备获得所述横向测试框及所述纵向测试框中的光强分布,依据该光强分布获得所述标记图形的实际中心坐标;2‑4)计算出所述标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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