[发明专利]一种常压下低温制备金红石型二氧化钛单晶纳米线阵列的方法有效

专利信息
申请号: 201310372775.7 申请日: 2013-08-23
公开(公告)号: CN103469291A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 刘勇;王晓悦;周虞;李宝军;沈辉 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C30B7/14 分类号: C30B7/14;C30B29/16;B82Y40/00
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种常压下低温制备二氧化钛单晶金红石型纳米线阵列的方法,含以下步骤:(1)以钛源、壬酸为起始原料,将上述原料按一定的化学计量比混合搅拌均匀后放入玻璃瓶或聚四氟乙烯反应容器中;(2)将常压反应容器放入恒温箱中,调节反应温度为90-220℃,反应时间为1-100小时,反应后容器自然冷却到室温;(3)取出反应容器中的样品,清洗、烘干后获得单晶金红石型纳米线阵列,本发明方法相对于传统利用溶剂相变生成蒸汽压进行水热/溶剂热反应合成二氧化钛纳米线的方法,是一种低温常压的安全环保合成方法。
搜索关键词: 一种 压下 低温 制备 金红石 氧化 钛单晶 纳米 阵列 方法
【主权项】:
一种常压下低温制备二氧化钛单晶金红石型纳米线阵列的方法,其特征是含以下步骤:(1)取钛源、壬酸搅拌均匀得到混合液;(2)将混合液放入密闭的常压反应容器中,将常压反应容器放入恒温箱中,调节反应温度为90~220℃,反应时间为1~100小时,反应后冷却至室温;(3)取出反应容器中的样品,清洗、烘干后获得单晶金红石型纳米线阵列。
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