[发明专利]制造太阳能电池的方法

摘要

本发明提供了制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，其用于在执行第一清洁处理之后使用酸性化学物质去除所述微突起表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：执行湿蚀刻处理，以在半导体基板的第一表面上形成多个第一突起；执行干蚀刻处理，以在所述多个第一突起的每一个的表面上形成多个第二突起；执行第一清洁处理，用于使用碱性化学物质去除所述多个第二突起的表面上的受损部分并且去除所述多个第二突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，用于在执行所述第一清洁处理之后，使用酸性化学物质去除所述多个第二突起的表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区，其中，在等于或低于70℃的温度下使用所述碱性化学物质执行所述第一清洁处理5至10分钟，以及其中，在等于或低于70℃的温度下使用所述酸性化学物质执行所述第二清洁处理5至10分钟。