[发明专利]制备多晶硅的方法有效

专利信息
申请号: 201310373781.4 申请日: 2013-08-23
公开(公告)号: CN103482630A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 万烨;张升学;严大洲;毋克力;肖荣辉;汤传斌;杨永亮 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了制备多晶硅的方法,该方法包括:(a)使硅粉、氢气以及选自氯化氢与四氯化硅的至少一种发生氯氢化合成反应;(b)对包含三氯氢硅的氯氢化合成反应产物进行第一精馏纯化处理;(c)使三氯氢硅发生歧化反应;(d)对歧化反应产物进行第二精馏纯化处理;以及(e)使硅烷气体在还原炉中发生热解反应,以便获得多晶硅。利用该方法能够有效地制备获得电子级多晶硅,并且该方法工艺简单、安全、节能环保、成本低,且生产的多晶硅纯度高,产生的尾气和废渣能够达到环保要求,为电子级多晶硅清洁生产工艺。
搜索关键词: 制备 多晶 方法
【主权项】:
一种制备多晶硅的方法,其特征在于,包括:(a)使硅粉、氢气以及选自氯化氢与四氯化硅的至少一种发生氯氢化合成反应,以便获得包含三氯氢硅的氯氢化合成反应产物;(b)对所述包含三氯氢硅的氯氢化合成反应产物进行第一精馏纯化处理,以便获得三氯氢硅和第一精馏残液;(c)使所述三氯氢硅发生歧化反应,以便获得包含四氯化硅和硅烷的歧化反应产物;(d)对所述歧化反应产物进行第二精馏纯化处理,以便获得硅烷气体和四氯化硅;以及(e)使所述硅烷气体在还原炉中发生热解反应,其中,所述还原炉中设置有硅芯作为晶体沉积的载体,以便获得多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国恩菲工程技术有限公司,未经中国恩菲工程技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310373781.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top