[发明专利]制备多晶硅的方法有效
申请号: | 201310373781.4 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN103482630A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 万烨;张升学;严大洲;毋克力;肖荣辉;汤传斌;杨永亮 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了制备多晶硅的方法,该方法包括:(a)使硅粉、氢气以及选自氯化氢与四氯化硅的至少一种发生氯氢化合成反应;(b)对包含三氯氢硅的氯氢化合成反应产物进行第一精馏纯化处理;(c)使三氯氢硅发生歧化反应;(d)对歧化反应产物进行第二精馏纯化处理;以及(e)使硅烷气体在还原炉中发生热解反应,以便获得多晶硅。利用该方法能够有效地制备获得电子级多晶硅,并且该方法工艺简单、安全、节能环保、成本低,且生产的多晶硅纯度高,产生的尾气和废渣能够达到环保要求,为电子级多晶硅清洁生产工艺。 | ||
搜索关键词: | 制备 多晶 方法 | ||
【主权项】:
一种制备多晶硅的方法,其特征在于,包括:(a)使硅粉、氢气以及选自氯化氢与四氯化硅的至少一种发生氯氢化合成反应,以便获得包含三氯氢硅的氯氢化合成反应产物;(b)对所述包含三氯氢硅的氯氢化合成反应产物进行第一精馏纯化处理,以便获得三氯氢硅和第一精馏残液;(c)使所述三氯氢硅发生歧化反应,以便获得包含四氯化硅和硅烷的歧化反应产物;(d)对所述歧化反应产物进行第二精馏纯化处理,以便获得硅烷气体和四氯化硅;以及(e)使所述硅烷气体在还原炉中发生热解反应,其中,所述还原炉中设置有硅芯作为晶体沉积的载体,以便获得多晶硅。
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