[发明专利]于崩溃时具有减少漏电流的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310375525.9 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104051531B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建铨;李明东;黄胤富;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种于崩溃时具有减少漏电流的半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有一阱；一p阱注入，至少部分被此阱界限在衬底之内；一导电层，配置在衬底上；一高电压n‑(HVN‑)掺杂阱，被注入在p阱注入中；一高电压p掺杂(HVPD)阱，被注入在p阱注入中；以及一漏极n‑阱与一源极n‑阱，分别配置在HVN‑掺杂阱及HVPD阱中。本发明亦提供一种半导体装置的制造方法。在某些实施例中，半导体装置的制造方法的特征为以一第一倾斜角注入HVN‑离子及／或以一第二倾斜角注入HVPD离子。 | ||
| 搜索关键词： | 崩溃 具有 减少 漏电 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一衬底；一阱；一n阱注入，被该阱界限在该衬底之内；一导电层，配置在该衬底上；一高电压p‑掺杂阱，被注入在该n阱注入中，该n阱注入延伸进入伏在该导电层的一部分下面的该衬底的一部分中；一高电压n掺杂阱，被注入在该n阱注入中，该n阱注入延伸进入伏在该导电层的另一部分下面的该衬底的另一部分中，该高电压N掺杂阱与该高电压P‑掺杂阱相对；一漏极p‑阱，被注入在该高电压P‑掺杂阱中；以及一源极p‑阱，被注入在该高电压N掺杂阱中。
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