[发明专利]电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种能够谋求微细化的电力用半导体装置的制造方法。在电力用半导体装置的制造方法中，以包含终端区域中的第一氧化膜以及第一扩散层的半导体基板的上表面的位置低于单元区域中的半导体基板的上表面的位置的方式，对终端区域中的半导体基板的上部、第一扩散层的上表面以及第一氧化膜的上表面进行刻蚀。此后，在半导体基板上形成第二氧化膜。以埋入电极的上表面的位置低于单元区域中的半导体基板的上表面的位置的方式，在第二氧化膜上，从第一区域上向单元区域侧，跨到第一扩散层上地形成埋入电极。

主权项

一种电力用半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板；形成于上述半导体基板上的单元区域的元件；多个第二导电型的第一扩散层，形成于上述半导体基板的上表面中、位于上述单元区域的外周的终端区域的上表面；第一氧化膜，在上述半导体基板的上述终端区域中，形成于与上述第一扩散层分离的第一区域；第二氧化膜，形成于包含上述终端区域中的上述第一氧化膜以及上述第一扩散层的上述半导体基板的上表面；埋入电极，在上述第二氧化膜上，从上述第一区域上向上述单元区域侧，跨到第一扩散层上地形成；第三氧化膜，形成于上述第二氧化膜上以及上述埋入电极上；以及连接电极，形成于上述第三氧化膜上且形成于上述第二以及第三氧化膜中，将以上述第一扩散层位于上述单元区域侧的方式邻接的上述埋入电极和上述第一扩散层电连接，上述埋入电极的上表面的位置低于上述单元区域中的上述半导体基板的上表面的位置，上述元件为IGBT元件，在上述单元区域形成有二极管的阳极区域。